產(chǎn)品分類
SiC高溫氧化爐
所屬分類：
立式爐管設(shè)備
半導(dǎo)體芯片設(shè)備
SiC高溫氧化爐
概要：
?適用領(lǐng)域：化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation
關(guān)鍵詞：
SiC高溫氧化爐
SiC高溫氧化爐
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
♦適用領(lǐng)域：化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Compound Semiconductors
♦適用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC)
♦晶圓尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch
♦適用工藝：高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation
技術(shù)指標(biāo) /Technical Parameters：
♦制程溫度范圍：800°C-1600°C Process Temperature Range: 800°C-1600°C
♦批次片數(shù): 50片 Batch Capacity: 50 pcs
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LPCVD設(shè)備
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